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2SK3756是采用**的0.6μmLDMOS工艺，主要应用于无线
信设备的高频功?放大器。特性参数 符号 范围 单位
漏源电压 VDSS 7.5 V
栅源电压 VGSS 3 V
漏电流 ID 1 A
耗散功率 PD* 3.0 W
沟道温度 Tch 150 ℃
储存温度 Tstg －45～150 ℃
表 2 电特性表（Ta＝25℃）
参数 符号 测试条件 **小值 典型值 **值 单位
输出功? PO
?极效? ηD
--3032-- dBm
50---- %
VDS=4.5V,Iidle=300mA
f=500MHz,Pi=20dBmW
ZG=ZL=50Ω12---- dB
功?增益 GP
开启电压 VTH VDS=4.5V,ID=0.5mA-- 0.9 1.45 V
?极关断电? IDSS VDS=10V,VGS=0V -- -- 10 uA
栅源?电? IGSS VGS=5V,VDS=0V----5 uA
供应2SK3756